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五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場(chǎng)新高地

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放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-07-04   瀏覽次數(shù):823
核心提示:跟著功率半導(dǎo)體的賡續(xù)成長(zhǎng)和技巧提高,功率器件下流家當(dāng)?shù)姆€(wěn)步擴(kuò)大,將來(lái)在政策資金支撐和國(guó)際新動(dòng)力汽車(chē)的蓬勃成長(zhǎng)下,國(guó)際功率半導(dǎo)體家當(dāng)將迎來(lái)黃金成長(zhǎng)期。6月26日,PCIM 亞洲 2018展會(huì)在上海世博展覽館盛大舉辦

跟著功率半導(dǎo)體的賡續(xù)成長(zhǎng)和技巧提高,功率器件下流家當(dāng)?shù)姆€(wěn)步擴(kuò)大,將來(lái)在政策資金支撐和國(guó)際新動(dòng)力汽車(chē)的蓬勃成長(zhǎng)下,國(guó)際功率半導(dǎo)體家當(dāng)將迎來(lái)黃金成長(zhǎng)期。


6月26日,PCIM 亞洲 2018展會(huì)在上海世博展覽館盛大舉辦。作為全球500強(qiáng)企業(yè),同時(shí)也是古代功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)辟者,年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)物及相干處理計(jì)劃表態(tài),同時(shí)宣布了更高集成度、更小體積、更能下降臨盆本錢(qián),并具有周全掩護(hù)功效的外面貼裝型IPM,和助力新動(dòng)力發(fā)電運(yùn)用新封裝年夜功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)物。


半導(dǎo)體,IGBT模塊,IPM,三菱電機(jī)


(圖一:2018三菱機(jī)電半導(dǎo)體媒體宣布會(huì)現(xiàn)場(chǎng))


三菱機(jī)電半導(dǎo)體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar、年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體總司理楠真1、三菱機(jī)電捷敏功率半導(dǎo)體(合肥)無(wú)限公司技巧辦事中間總監(jiān)商明、年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體技巧總監(jiān)宋高升、年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)錢(qián)宇峰、年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體公關(guān)宣揚(yáng)主管閔麗豪悉數(shù)列席此次新品宣布會(huì)。


半導(dǎo)體,IGBT模塊,IPM,三菱電機(jī)


(圖二(從右到左):年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體總司理楠真1、三菱機(jī)電半導(dǎo)體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar、年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)錢(qián)宇峰加入宣布會(huì)媒體問(wèn)答環(huán)節(jié))


為了進(jìn)一步穩(wěn)固三菱機(jī)電功率半導(dǎo)體在變頻家電市場(chǎng)的搶先位置,三菱機(jī)電將依托位于合肥的功率半導(dǎo)體工場(chǎng)和結(jié)合試驗(yàn)室,為中國(guó)客戶供給更好、更快的支撐;而在鐵道牽引、電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)新動(dòng)力運(yùn)用范疇,三菱機(jī)電將連續(xù)性地結(jié)合國(guó)際著名年夜學(xué)和專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)公司,開(kāi)辟當(dāng)?shù)鼗幕谛滦凸β拾雽?dǎo)體的全體處理計(jì)劃。


五年夜范疇齊發(fā)力


在三菱機(jī)電以“立異功率器件構(gòu)建可連續(xù)將來(lái)”為主題的展館,三菱機(jī)電功率器件在變頻家電、工業(yè)、新動(dòng)力、軌道牽引、電動(dòng)汽車(chē)五年夜運(yùn)用范疇賡續(xù)立異,新品迭出。


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(圖三:三菱機(jī)電赴PCIM 亞洲 2018展會(huì)參展展臺(tái))


在變頻家電范疇,面向變頻冰箱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的SLIMDIP-S和面向變頻空折衷洗衣機(jī)的SLIMDIP-L智能功率模塊、外面貼裝型IPM有助于推進(jìn)變頻家電完成小型化。


在工業(yè)運(yùn)用方面,三菱機(jī)電第七代IGBT和第七代IPM模塊,初次采取SLC封裝技巧,使得模塊的運(yùn)用壽命年夜幅延伸。在新動(dòng)力發(fā)電特殊是風(fēng)力發(fā)電范疇,本年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊,有益于晉升風(fēng)電變流器的功率密度和機(jī)能價(jià)錢(qián)比。


在軌道牽引運(yùn)用范疇,X系列HVIGBT平安任務(wù)區(qū)域度年夜、電流密度增長(zhǎng)、抗?jié)穸若敯粜约訌?qiáng),有助于進(jìn)一步進(jìn)步牽引變流器現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)轉(zhuǎn)的靠得住性。而在電動(dòng)汽車(chē)范疇,J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、外部雜散電感低的特征。


2018年,三菱機(jī)電將在以上五年夜范疇,強(qiáng)化新產(chǎn)物的推行和運(yùn)用力度。在變頻家電范疇,三菱機(jī)電將在分體式變頻空折衷變頻洗衣機(jī)中擴(kuò)展和強(qiáng)化SLIMDIP-L的運(yùn)用,在空調(diào)電扇和變頻冰箱中慢慢擴(kuò)展SLIMDIP-S的運(yùn)用,在更小功率的變頻家電運(yùn)用中慢慢推行應(yīng)用外面封裝型IPM。在中高壓變頻器、光伏逆變器、電動(dòng)年夜巴、儲(chǔ)能逆變器、SVG、風(fēng)力發(fā)電等運(yùn)用中,三菱機(jī)電將強(qiáng)化第7代IGBT模塊的市場(chǎng)拓展;而在電動(dòng)乘用轎車(chē)范疇,三菱機(jī)電將為客戶供給電動(dòng)汽車(chē)公用模塊和全體處理計(jì)劃;在軌道牽引范疇,將最新的X系列HVIGBT的推行到高鐵、動(dòng)車(chē)、地鐵等運(yùn)用范疇。


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(圖四:年夜中國(guó)區(qū)三菱機(jī)電半導(dǎo)體技巧總監(jiān)宋高升為PCIM展會(huì)專(zhuān)業(yè)不雅眾講授三菱機(jī)電最新技巧)


立異技巧引領(lǐng)行業(yè)成長(zhǎng)


六十年以來(lái),三菱機(jī)電之所以可以或許一向堅(jiān)持行業(yè)搶先位置在于連續(xù)性和立異性的研討與開(kāi)辟。


作為功率元器件的焦點(diǎn),IGBT芯片的主要性不問(wèn)可知。在功率半導(dǎo)體最新技巧成長(zhǎng)方面,三菱機(jī)電IGBT芯片技巧一向在提高,第三代IGBT是平板型的結(jié)構(gòu),第四代IGBT是溝槽性的結(jié)構(gòu),第五代成為CSTBTTM,第六代是超薄化CSTBTTM,第七代IGBT結(jié)構(gòu)加倍微細(xì)化和超薄化的CSTBTTM。


從IGBT芯片的機(jī)能指數(shù)(FOM)下去看,第六代已比第一代進(jìn)步了16倍,第七代比第一代進(jìn)步了26倍。從封裝技巧來(lái)看,在小容量花費(fèi)類(lèi)DIPIPMTM產(chǎn)物中,三菱機(jī)電采取了壓注模的封裝辦法。在中容量工業(yè)產(chǎn)物、電動(dòng)汽車(chē)公用產(chǎn)物中,采取了盒式封裝。而在年夜容量、特殊是用在高鐵上的產(chǎn)物中,采取了高機(jī)能的碳化硅鋁底板,然后再用盒式封裝完成。


在量產(chǎn)供給的同時(shí),三菱機(jī)電也在為下一個(gè)需求迸發(fā)點(diǎn)蓄勢(shì)發(fā)力,年夜概在2022年閣下,三菱機(jī)電將會(huì)斟酌12英寸功率元器件產(chǎn)線的投資。在Dr.Gourab Majumdar看來(lái),2020-2022年,IGBT芯片市場(chǎng)將會(huì)有年夜幅的增加。


SiC作為下一代功率半導(dǎo)體的焦點(diǎn)技巧偏向,與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊比擬, SiC功率模塊最重要優(yōu)勢(shì)是開(kāi)關(guān)消耗年夜幅減小。關(guān)于特定逆變器運(yùn)用,這類(lèi)優(yōu)勢(shì)可以減小逆變器尺寸,進(jìn)步逆變器效力及增長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率。今朝,基于SiC功率器件逆變裝備的運(yùn)用范疇正在賡續(xù)擴(kuò)展。但受制于本錢(qián)身分,今朝SiC功率器件市場(chǎng)滲入滲出率很低,跟著技巧提高,碳化硅本錢(qián)將疾速降低,將來(lái)將是功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主流產(chǎn)物。


半導(dǎo)體,IGBT模塊,IPM,三菱電機(jī)


(圖五:三菱機(jī)電半導(dǎo)體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar)


“碳化硅功率模塊因?yàn)橛心偷蜏亍⒌凸暮透呖康米⌒缘奶厣梢酝卣垢噙\(yùn)用范疇。關(guān)于今后開(kāi)辟新市場(chǎng)來(lái)講,碳化硅是最好的選擇。”Dr.Gourab Majumdar說(shuō)。


三菱機(jī)電從2013年開(kāi)端推出第一代碳化硅功率模塊,現(xiàn)實(shí)上,早在1994年,三菱機(jī)電就開(kāi)端了針對(duì)SiC技巧的開(kāi)辟; 2015年開(kāi)端,SiC功率器件開(kāi)端進(jìn)入浩瀚全新運(yùn)用范疇,同年,三菱機(jī)電開(kāi)辟了第一款全SiC功率模塊,裝備在機(jī)車(chē)牽引體系在日本新支線裝置應(yīng)用。三菱機(jī)電SiC功率模塊產(chǎn)物線已涵蓋額外電流15A~1200A及額外電壓600V~3300V,今朝都可供給樣品。


因?yàn)樘蓟栊枨罅考彼僭黾樱?017年,三菱機(jī)電投資建造6英寸晶圓臨盆線,合營(yíng)新技巧來(lái)縮少芯片尺寸,今朝該產(chǎn)線正按籌劃推動(dòng)中,估計(jì)2019年將完成量產(chǎn)。


電力電子行業(yè)對(duì)功率器件的請(qǐng)求更多地表現(xiàn)在晉升效力與減小尺寸功率密度方面,是以新型SiC MOSFET功率模塊將取得愈來(lái)愈多的運(yùn)用。為了知足功率器件市場(chǎng)對(duì)噪聲低、效力高、尺寸小和分量輕的請(qǐng)求,三菱機(jī)電一向努力于研討和開(kāi)辟高技巧產(chǎn)物。正在抓緊研發(fā)新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技巧, 該技巧將進(jìn)一步改良短路耐量和導(dǎo)通電阻的關(guān)系,并籌劃在2020年完成新型SiC MOSFET模塊的貿(mào)易化。


外面貼裝型IPM和第7代IGBT模塊(LV100封裝)


繼客歲展出了用于變頻家電的小封裝的SLIMDIP-S/SLIMDIP-L后,三菱機(jī)電本年展出了更小封裝的外面貼裝型IPM。值得一提的是,IPM相對(duì)不是簡(jiǎn)略的把驅(qū)動(dòng)和IGBT放到一個(gè)盒子里這么簡(jiǎn)略,怎樣能讓它施展外面內(nèi)置的功率元器件最好的機(jī)能,讓用戶體驗(yàn)更好,才是癥結(jié)。


據(jù)悉,該新品實(shí)用于家用變頻空調(diào)電扇、變頻冰箱、變頻洗碗機(jī)等機(jī)電驅(qū)動(dòng)體系。并籌劃于9月1日開(kāi)端出售。這款產(chǎn)物將組成三相逆變橋的RC-IGBT(反領(lǐng)導(dǎo)通IGBT)、高電壓掌握用IC、低電壓掌握用IC,和自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個(gè)封裝中。 該產(chǎn)物采取外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的外面封裝型,可以經(jīng)由過(guò)程回流焊接裝配裝置到印刷電路板上去。


外面貼裝型IPM具有三年夜特征:1、經(jīng)由過(guò)程外面貼裝,使體系裝置變得更輕易;2、該產(chǎn)物經(jīng)由過(guò)程內(nèi)置掌握IC和最好的引腳結(jié)構(gòu),在完成體系的小型化并使基板布線簡(jiǎn)化方面具有積極意義;3、而經(jīng)由過(guò)程內(nèi)置掩護(hù)功效,可以贊助進(jìn)步體系的設(shè)計(jì)自在度。


在第7代IGBT模塊后,三菱機(jī)電本年推出了實(shí)用于工業(yè)及新動(dòng)力運(yùn)用的通用年夜功率模塊——第7代IGBT模塊(LV100封裝)。


該產(chǎn)物在通用變頻器,高壓變頻器,風(fēng)力發(fā)電等范疇的運(yùn)用市場(chǎng)遼闊,低雜散電感相符將來(lái)年夜功率變流器的封裝設(shè)計(jì);采取第7代功率芯片組 和SLC 技巧,進(jìn)步性?xún)r(jià)比;另外,該產(chǎn)物下降開(kāi)關(guān)消耗,有益于進(jìn)步開(kāi)關(guān)頻率;而且去除底板焊接層,進(jìn)步熱輪回壽命。


助力社會(huì)將來(lái)成長(zhǎng)


除精雕細(xì)琢產(chǎn)物以外,三菱機(jī)電更是視助力社會(huì)將來(lái)成長(zhǎng)為己任,存眷下一代生長(zhǎng)教導(dǎo)和節(jié)能減排。


今朝,三菱機(jī)電已在清華年夜學(xué)、浙江年夜學(xué)、華中科技年夜學(xué)、合肥工業(yè)年夜學(xué)四所高校設(shè)立了三菱機(jī)電電力電子獎(jiǎng)學(xué)金,并設(shè)立了功率器件運(yùn)用結(jié)合試驗(yàn)室。


到2021年,正好是三菱機(jī)電成立100周年,為了慶賀100周年,早年幾年開(kāi)端,三菱機(jī)電外部就制訂了對(duì)應(yīng)節(jié)能環(huán)保社會(huì)請(qǐng)求的計(jì)劃,爭(zhēng)奪在100周年的時(shí)刻完成這一目的。


現(xiàn)實(shí)上,功率半導(dǎo)體臨盆發(fā)生的無(wú)害物資是很少的,基于機(jī)能優(yōu)良的第7代IGBT芯片,經(jīng)由過(guò)程改良資料和封裝技巧,三菱機(jī)電正賡續(xù)進(jìn)步功率半導(dǎo)體器件的節(jié)能后果。


 
 
 
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