跟著功率半導體的賡續(xù)成長和技巧提高，功率器件下流家當的穩(wěn)步擴大，將來在政策資金支撐和國際新動力汽車的蓬勃成長下，國際功率半導體家當將迎來黃金成長期。

6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館盛大舉辦。作為全球500強企業(yè)，同時也是古代功率半導體器件的開辟者，年夜中國區(qū)三菱機電半導體攜多款功率器件產物及相干處理計劃表態(tài)，同時宣布了更高集成度、更小體積、更能下降臨盆本錢，并具有周全掩護功效的外面貼裝型IPM，和助力新動力發(fā)電運用新封裝年夜功率IGBT模塊兩款最新產物。

（圖一：2018三菱機電半導體媒體宣布會現場）

三菱機電半導體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar、年夜中國區(qū)三菱機電半導體總司理楠真1、三菱機電捷敏功率半導體（合肥）無限公司技巧辦事中間總監(jiān)商明、年夜中國區(qū)三菱機電半導體技巧總監(jiān)宋高升、年夜中國區(qū)三菱機電半導體市場總監(jiān)錢宇峰、年夜中國區(qū)三菱機電半導體公關宣揚主管閔麗豪悉數列席此次新品宣布會。

（圖二（從右到左）：年夜中國區(qū)三菱機電半導體總司理楠真1、三菱機電半導體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar、年夜中國區(qū)三菱機電半導體市場總監(jiān)錢宇峰加入宣布會媒體問答環(huán)節(jié)）

為了進一步穩(wěn)固三菱機電功率半導體在變頻家電市場的搶先位置，三菱機電將依托位于合肥的功率半導體工場和結合試驗室，為中國客戶供給更好、更快的支撐；而在鐵道牽引、電動汽車和工業(yè)新動力運用范疇，三菱機電將連續(xù)性地結合國際著名年夜學和專業(yè)設計公司，開辟當地化的基于新型功率半導體的全體處理計劃。

五年夜范疇齊發(fā)力

在三菱機電以“立異功率器件構建可連續(xù)將來”為主題的展館，三菱機電功率器件在變頻家電、工業(yè)、新動力、軌道牽引、電動汽車五年夜運用范疇賡續(xù)立異，新品迭出。

（圖三：三菱機電赴PCIM 亞洲 2018展會參展展臺）

在變頻家電范疇，面向變頻冰箱和風機驅動的SLIMDIP-S和面向變頻空折衷洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊、外面貼裝型IPM有助于推進變頻家電完成小型化。

在工業(yè)運用方面，三菱機電第七代IGBT和第七代IPM模塊，初次采取SLC封裝技巧，使得模塊的運用壽命年夜幅延伸。在新動力發(fā)電特殊是風力發(fā)電范疇，本年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊，有益于晉升風電變流器的功率密度和機能價錢比。

在軌道牽引運用范疇，X系列HVIGBT平安任務區(qū)域度年夜、電流密度增長、抗?jié)穸若敯粜约訌姡兄谶M一步進步牽引變流器現場運轉的靠得住性。而在電動汽車范疇，J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、外部雜散電感低的特征。

2018年，三菱機電將在以上五年夜范疇，強化新產物的推行和運用力度。在變頻家電范疇，三菱機電將在分體式變頻空折衷變頻洗衣機中擴展和強化SLIMDIP-L的運用，在空調電扇和變頻冰箱中慢慢擴展SLIMDIP-S的運用，在更小功率的變頻家電運用中慢慢推行應用外面封裝型IPM。在中高壓變頻器、光伏逆變器、電動年夜巴、儲能逆變器、SVG、風力發(fā)電等運用中，三菱機電將強化第7代IGBT模塊的市場拓展；而在電動乘用轎車范疇，三菱機電將為客戶供給電動汽車公用模塊和全體處理計劃；在軌道牽引范疇，將最新的X系列HVIGBT的推行到高鐵、動車、地鐵等運用范疇。

（圖四：年夜中國區(qū)三菱機電半導體技巧總監(jiān)宋高升為PCIM展會專業(yè)不雅眾講授三菱機電最新技巧）

立異技巧引領行業(yè)成長

六十年以來，三菱機電之所以可以或許一向堅持行業(yè)搶先位置在于連續(xù)性和立異性的研討與開辟。

作為功率元器件的焦點，IGBT芯片的主要性不問可知。在功率半導體最新技巧成長方面，三菱機電IGBT芯片技巧一向在提高，第三代IGBT是平板型的結構，第四代IGBT是溝槽性的結構，第五代成為CSTBTTM，第六代是超薄化CSTBTTM，第七代IGBT結構加倍微細化和超薄化的CSTBTTM。

從IGBT芯片的機能指數（FOM）下去看，第六代已比第一代進步了16倍，第七代比第一代進步了26倍。從封裝技巧來看，在小容量花費類DIPIPMTM產物中，三菱機電采取了壓注模的封裝辦法。在中容量工業(yè)產物、電動汽車公用產物中，采取了盒式封裝。而在年夜容量、特殊是用在高鐵上的產物中，采取了高機能的碳化硅鋁底板，然后再用盒式封裝完成。

在量產供給的同時，三菱機電也在為下一個需求迸發(fā)點蓄勢發(fā)力，年夜概在2022年閣下，三菱機電將會斟酌12英寸功率元器件產線的投資。在Dr.Gourab Majumdar看來，2020-2022年，IGBT芯片市場將會有年夜幅的增加。

SiC作為下一代功率半導體的焦點技巧偏向，與傳統Si-IGBT模塊比擬， SiC功率模塊最重要優(yōu)勢是開關消耗年夜幅減小。關于特定逆變器運用，這類優(yōu)勢可以減小逆變器尺寸，進步逆變器效力及增長開關頻率。今朝，基于SiC功率器件逆變裝備的運用范疇正在賡續(xù)擴展。但受制于本錢身分，今朝SiC功率器件市場滲入滲出率很低，跟著技巧提高，碳化硅本錢將疾速降低，將來將是功率半導體市場主流產物。

（圖五：三菱機電半導體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar）

“碳化硅功率模塊因為有耐低溫、低功耗和高靠得住性的特色，可以拓展更多運用范疇。關于今后開辟新市場來講，碳化硅是最好的選擇。”Dr.Gourab Majumdar說。

三菱機電從2013年開端推出第一代碳化硅功率模塊，現實上，早在1994年，三菱機電就開端了針對SiC技巧的開辟； 2015年開端，SiC功率器件開端進入浩瀚全新運用范疇，同年，三菱機電開辟了第一款全SiC功率模塊，裝備在機車牽引體系在日本新支線裝置應用。三菱機電SiC功率模塊產物線已涵蓋額外電流15A~1200A及額外電壓600V~3300V，今朝都可供給樣品。

因為碳化硅需求量急速增加，2017年，三菱機電投資建造6英寸晶圓臨盆線，合營新技巧來縮少芯片尺寸，今朝該產線正按籌劃推動中，估計2019年將完成量產。

電力電子行業(yè)對功率器件的請求更多地表現在晉升效力與減小尺寸功率密度方面，是以新型SiC MOSFET功率模塊將取得愈來愈多的運用。為了知足功率器件市場對噪聲低、效力高、尺寸小和分量輕的請求，三菱機電一向努力于研討和開辟高技巧產物。正在抓緊研發(fā)新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技巧， 該技巧將進一步改良短路耐量和導通電阻的關系，并籌劃在2020年完成新型SiC MOSFET模塊的貿易化。

外面貼裝型IPM和第7代IGBT模塊（LV100封裝）

繼客歲展出了用于變頻家電的小封裝的SLIMDIP-S/SLIMDIP-L后，三菱機電本年展出了更小封裝的外面貼裝型IPM。值得一提的是，IPM相對不是簡略的把驅動和IGBT放到一個盒子里這么簡略，怎樣能讓它施展外面內置的功率元器件最好的機能，讓用戶體驗更好，才是癥結。

據悉，該新品實用于家用變頻空調電扇、變頻冰箱、變頻洗碗機等機電驅動體系。并籌劃于9月1日開端出售。這款產物將組成三相逆變橋的RC-IGBT（反領導通IGBT）、高電壓掌握用IC、低電壓掌握用IC，和自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個封裝中。 該產物采取外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的外面封裝型，可以經由過程回流焊接裝配裝置到印刷電路板上去。

外面貼裝型IPM具有三年夜特征：1、經由過程外面貼裝，使體系裝置變得更輕易；2、該產物經由過程內置掌握IC和最好的引腳結構，在完成體系的小型化并使基板布線簡化方面具有積極意義；3、而經由過程內置掩護功效，可以贊助進步體系的設計自在度。

在第7代IGBT模塊后，三菱機電本年推出了實用于工業(yè)及新動力運用的通用年夜功率模塊——第7代IGBT模塊（LV100封裝）。

該產物在通用變頻器，高壓變頻器，風力發(fā)電等范疇的運用市場遼闊，低雜散電感相符將來年夜功率變流器的封裝設計；采取第7代功率芯片組 和SLC 技巧，進步性價比；另外，該產物下降開關消耗，有益于進步開關頻率；而且去除底板焊接層，進步熱輪回壽命。

助力社會將來成長

除精雕細琢產物以外，三菱機電更是視助力社會將來成長為己任，存眷下一代生長教導和節(jié)能減排。

今朝，三菱機電已在清華年夜學、浙江年夜學、華中科技年夜學、合肥工業(yè)年夜學四所高校設立了三菱機電電力電子獎學金，并設立了功率器件運用結合試驗室。

到2021年，正好是三菱機電成立100周年，為了慶賀100周年，早年幾年開端，三菱機電外部就制訂了對應節(jié)能環(huán)保社會請求的計劃，爭奪在100周年的時刻完成這一目的。

現實上，功率半導體臨盆發(fā)生的無害物資是很少的，基于機能優(yōu)良的第7代IGBT芯片，經由過程改良資料和封裝技巧，三菱機電正賡續(xù)進步功率半導體器件的節(jié)能后果。