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三菱電機投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線擴大碳化硅功率器件產(chǎn)量

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放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2017-08-15   瀏覽次數(shù):969
核心提示:三菱機電半導體首席技巧履行官GourabMajumdar博士日前表現(xiàn),為了進步三菱機電旗下碳化硅功率器件的市場滲入滲出率,公司曾經(jīng)開端投資興修6英寸晶圓臨盆線來擴產(chǎn),再合營立異技巧向市場推出更多采取碳化硅芯片的功率

三菱機電半導體首席技巧履行官GourabMajumdar博士日前表現(xiàn),為了進步三菱機電旗下碳化硅功率器件的市場滲入滲出率,公司曾經(jīng)開端投資興修6英寸晶圓臨盆線來擴產(chǎn),再合營立異技巧向市場推出更多采取碳化硅芯片的功率器件新產(chǎn)物。

在剛舉辦的PCIM亞洲2017展上,Majumdar博士稱,三菱機電從2013年開端推出第一代碳化硅功率模塊,至2015年進入第二代產(chǎn)物,而且率先投產(chǎn)4英寸晶圓臨盆線。因為碳化硅需求量急速增加,三菱機電投資建造6英寸晶圓臨盆線,合營新技巧來縮少芯片尺寸,估計在2018年推出第三代碳化硅功率器件。

三菱,碳化硅功率器件,6英寸晶圓生產(chǎn)線

三菱機電半導體首席技巧履行官GourabMajumdar博士稱自從在1996年推出DIPIPMTM后,累計出貨量已跨越5億顆,右為三菱機電半導體年夜中國區(qū)總司理四個所年夜亮師長教師,左為三菱機電半導體年夜中國區(qū)市場總監(jiān)錢宇峰師長教師。

擴產(chǎn)可調(diào)劑價錢

因為全碳化硅和混雜型碳化硅的價錢與單晶硅的差距仍年夜,Majumdar博士表現(xiàn)全體出貨量照樣比擬少,重要運用在日本新支線,工業(yè)范疇的數(shù)控機床和太陽能逆變器上,他希冀在6英寸晶圓臨盆線投產(chǎn)后,價錢無望可以調(diào)劑。

Majumdar博士指出,碳化硅的優(yōu)勢在超高頻運用,而且抗結(jié)溫才能很高,可讓電子電力體系更平安、更小型化和更輕量化。

在本年的PCIM亞洲展中,三菱機電展出一款曾經(jīng)量產(chǎn),特殊合適變頻家電的全碳化硅超小型產(chǎn)物DIPIPMTM,其二極管及MOSFET均采取碳化硅,削減消耗及噪聲,令效力更高。它與市場上普遍運用的超小型的DIPIPMTM封裝雷同,可采取異樣的電路板,額外電流籠罩15A、25A/600V,裝備集成短路掩護、欠壓掩護及溫度模仿量輸入。

三菱,碳化硅功率器件,6英寸晶圓生產(chǎn)線

變頻家電用的碳化硅功率器件

至于運用在工業(yè)上的全碳化硅MOSFET和SBD,它的消耗比單晶硅器件年夜幅削減70%,更強的高頻開關特征,可使周邊器件小型化,削減全體封裝尺寸,額外電流籠罩1200V/400A和1200V/800A兩個產(chǎn)物。現(xiàn)時正在開辟更多產(chǎn)物,估量到2020年可以推出全線產(chǎn)物。

全新HVIPM含三年夜掩護功效

三菱機電在PCIM亞洲展2017中,初次在中國展出全新的HVIPM高壓智能功率模塊,可以運用在鐵道牽引上。Majumdar博士引見稱,與HVIGBT比擬,它的優(yōu)勢在于內(nèi)置驅(qū)動電路和掩護電路,具有過流掩護、過溫掩護及欠壓掩護三年夜功效,一旦體系涌現(xiàn)異常就可以平安地停滯運作。采取HVIPM開辟牽引變流器,使周邊電路更簡化,開辟周期更短,產(chǎn)物應用壽命和靠得住性加強。

他續(xù)指出,HVIPM跟市場上普遍運用的HVIGBT比擬,封裝尺寸一樣,而且主端子兼容,客戶可以隨意馬虎地以HVIPM來代替HVIGBT。

HVIPM有3.3kV/1500A和6.5kV/750A兩個規(guī)格,除電壓品級及電流品級分歧外,包管結(jié)溫點也分歧,6.5kV產(chǎn)物和今朝的HVIGBT是統(tǒng)一個程度,從—400C到1250C;而3.3kV是從—500C到1500C。

高功率密度J1系列車載功率模塊

跟著新動力汽車的普及,Majumdar博士稱市場非常看好這個范疇,三菱機電早已開辟車載功率模塊,至今全球年夜約有1,000萬輛汽車應用三菱機電的半導體功率模塊。

Majumdar博士表現(xiàn),三菱機電汽車公用功率模塊的優(yōu)勢在于系列更廣,分J1A和J1B兩種。J1A是700A以下的小功率產(chǎn)物,而J1B是年夜功率的,電流可以到達1000A。兩種產(chǎn)物疊加起來的話,籠罩300A到1000A的電流品級和650V到1200V的耐壓值產(chǎn)物。

J1B年夜功率產(chǎn)物系列是六合一,有1000A/650V和600A/1200V兩種,一個模塊便可以把主驅(qū)動體系搭起來。這個產(chǎn)物采取了第七代IGBT芯片,功率密度很高,雜散電感異常小,不含鉛的設計相符環(huán)保請求。J1A和J1B的產(chǎn)物采取針型的散熱器,可以直接插到車身的水槽內(nèi)停止水冷散熱。

因為J1系列產(chǎn)物驅(qū)動及全體散熱的開辟照樣比擬龐雜,為了便于中國客戶采取,三菱機電給每一個產(chǎn)物設置裝備擺設響應的全體處理計劃,包含驅(qū)動板、薄膜電容、散熱器等等,以延長客戶的開辟周期。

三菱,碳化硅功率器件,6英寸晶圓生產(chǎn)線

三菱機電第7代IGBT模塊初次作全電壓、全封裝及全系列展出。

總的來講,三菱機電半導體功率器件普遍地運用在工業(yè)及新動力、機車牽引、新動力汽車和家電四年夜范疇,各年夜運用的發(fā)賣額比例根本是25%至30%。 


三菱機電電機(上海)無限公司簡介

三菱機電創(chuàng)建于1921年,是全球著名的綜合性企業(yè)團體。在2017年的《財富》500強排名中,名列第276。

作為一家技巧主導型的企業(yè),三菱機電具有多項搶先技巧,并憑壯大的技巧實力和優(yōu)越的企業(yè)信用在全球的電力裝備、通訊裝備、工業(yè)主動化、電子元器件、家電等市場占領側(cè)重要的位置。

三菱機電電機(上海)無限公司把宏揚國人聰明,首創(chuàng)電機新紀元視為義不容辭的責任與任務。憑仗優(yōu)勝的技巧與發(fā)明力進獻家當?shù)某砷L以增進社會繁華。

三菱機電半導體產(chǎn)物包含三菱功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)物,個中三菱功率模塊在機電掌握、電源和白色家電的運用中有助于您完成變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)物將為您在各類模仿/數(shù)字通信、有線/無線通信等運用中供給處理計劃。

更多信息,請上岸三菱機電電機(上海)無限公司網(wǎng)站:http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱機電半導體全球網(wǎng)站:www.mitsubishielectric.com/semiconductors,或請存眷【三菱機電半導體】官方微信,微信"號“GCME-SCD”。

 
 
 
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