三菱機電半導體首席技巧履行官GourabMajumdar博士日前表現，為了進步三菱機電旗下碳化硅功率器件的市場滲入滲出率，公司曾經開端投資興修6英寸晶圓臨盆線來擴產，再合營立異技巧向市場推出更多采取碳化硅芯片的功率器件新產物。

在剛舉辦的PCIM亞洲2017展上，Majumdar博士稱，三菱機電從2013年開端推出第一代碳化硅功率模塊，至2015年進入第二代產物，而且率先投產4英寸晶圓臨盆線。因為碳化硅需求量急速增加，三菱機電投資建造6英寸晶圓臨盆線，合營新技巧來縮少芯片尺寸，估計在2018年推出第三代碳化硅功率器件。

三菱機電半導體首席技巧履行官GourabMajumdar博士稱自從在1996年推出DIPIPMTM后，累計出貨量已跨越5億顆，右為三菱機電半導體年夜中國區總司理四個所年夜亮師長教師，左為三菱機電半導體年夜中國區市場總監錢宇峰師長教師。

擴產可調劑價錢

因為全碳化硅和混雜型碳化硅的價錢與單晶硅的差距仍年夜，Majumdar博士表現全體出貨量照樣比擬少，重要運用在日本新支線，工業范疇的數控機床和太陽能逆變器上，他希冀在6英寸晶圓臨盆線投產后，價錢無望可以調劑。

Majumdar博士指出，碳化硅的優勢在超高頻運用，而且抗結溫才能很高，可讓電子電力體系更平安、更小型化和更輕量化。

在本年的PCIM亞洲展中，三菱機電展出一款曾經量產，特殊合適變頻家電的全碳化硅超小型產物DIPIPMTM，其二極管及MOSFET均采取碳化硅，削減消耗及噪聲，令效力更高。它與市場上普遍運用的超小型的DIPIPMTM封裝雷同，可采取異樣的電路板，額外電流籠罩15A、25A/600V，裝備集成短路掩護、欠壓掩護及溫度模仿量輸入。

變頻家電用的碳化硅功率器件

至于運用在工業上的全碳化硅MOSFET和SBD，它的消耗比單晶硅器件年夜幅削減70%，更強的高頻開關特征，可使周邊器件小型化，削減全體封裝尺寸，額外電流籠罩1200V/400A和1200V/800A兩個產物。現時正在開辟更多產物，估量到2020年可以推出全線產物。

全新HVIPM含三年夜掩護功效

三菱機電在PCIM亞洲展2017中，初次在中國展出全新的HVIPM高壓智能功率模塊，可以運用在鐵道牽引上。Majumdar博士引見稱，與HVIGBT比擬，它的優勢在于內置驅動電路和掩護電路，具有過流掩護、過溫掩護及欠壓掩護三年夜功效，一旦體系涌現異常就可以平安地停滯運作。采取HVIPM開辟牽引變流器，使周邊電路更簡化，開辟周期更短，產物應用壽命和靠得住性加強。

他續指出，HVIPM跟市場上普遍運用的HVIGBT比擬，封裝尺寸一樣，而且主端子兼容，客戶可以隨意馬虎地以HVIPM來代替HVIGBT。

HVIPM有3.3kV/1500A和6.5kV/750A兩個規格，除電壓品級及電流品級分歧外，包管結溫點也分歧，6.5kV產物和今朝的HVIGBT是統一個程度，從—400C到1250C；而3.3kV是從—500C到1500C。

高功率密度J1系列車載功率模塊

跟著新動力汽車的普及，Majumdar博士稱市場非常看好這個范疇，三菱機電早已開辟車載功率模塊，至今全球年夜約有1,000萬輛汽車應用三菱機電的半導體功率模塊。

Majumdar博士表現，三菱機電汽車公用功率模塊的優勢在于系列更廣，分J1A和J1B兩種。J1A是700A以下的小功率產物，而J1B是年夜功率的，電流可以到達1000A。兩種產物疊加起來的話，籠罩300A到1000A的電流品級和650V到1200V的耐壓值產物。

J1B年夜功率產物系列是六合一，有1000A/650V和600A/1200V兩種，一個模塊便可以把主驅動體系搭起來。這個產物采取了第七代IGBT芯片，功率密度很高，雜散電感異常小，不含鉛的設計相符環保請求。J1A和J1B的產物采取針型的散熱器，可以直接插到車身的水槽內停止水冷散熱。

因為J1系列產物驅動及全體散熱的開辟照樣比擬龐雜，為了便于中國客戶采取，三菱機電給每一個產物設置裝備擺設響應的全體處理計劃，包含驅動板、薄膜電容、散熱器等等，以延長客戶的開辟周期。

三菱機電第7代IGBT模塊初次作全電壓、全封裝及全系列展出。

總的來講，三菱機電半導體功率器件普遍地運用在工業及新動力、機車牽引、新動力汽車和家電四年夜范疇，各年夜運用的發賣額比例根本是25%至30%。 

三菱機電電機（上海）無限公司簡介

三菱機電創建于1921年，是全球著名的綜合性企業團體。在2017年的《財富》500強排名中，名列第276。

作為一家技巧主導型的企業，三菱機電具有多項搶先技巧，并憑壯大的技巧實力和優越的企業信用在全球的電力裝備、通訊裝備、工業主動化、電子元器件、家電等市場占領側重要的位置。

三菱機電電機（上海）無限公司把宏揚國人聰明，首創電機新紀元視為義不容辭的責任與任務。憑仗優勝的技巧與發明力進獻家當的成長以增進社會繁華。

三菱機電半導體產物包含三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產物，個中三菱功率模塊在機電掌握、電源和白色家電的運用中有助于您完成變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產物將為您在各類模仿/數字通信、有線/無線通信等運用中供給處理計劃。

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